隨著技術的進步，集成電路制造所使用的工藝步驟顯著增加。比如說，對于65 nm技術節(jié)點，需要大約600步的工藝步驟，而對于14 nm技術節(jié)點，至少需要2000步工藝步驟。在半導體生產制造的各個工藝環(huán)節(jié)，都有可能造成最終全彩LED顯示屏產品性能的降低或者失效。良率提升的工作就是找出造成產品失效的環(huán)節(jié)，提出失效模型，解決工藝難題，提升產品的最終良率。從產品研發(fā)到實現(xiàn)量產的整個周期內，整個周期的時間跨度可能達數(shù)個季度，在每個階段都需要對良率進行不斷的改善，各階段的良率表現(xiàn)如圖7所示。在產品設計及工藝研發(fā)階段，主要通過器件及工藝流程的建立和優(yōu)化提升產品良率。在全彩LED顯示屏良率提升階段，通過找出并解決工藝中的系統(tǒng)性失效問題，解決全彩LED顯示屏工藝問題引起的隨機性缺陷提升良率。在量產階段，新產品的導入和生產制程的在線管控是重點。在新產品的導入時，需要確定工藝的最優(yōu)條件，設計對工藝的交叉弱點的檢測，以便及時發(fā)現(xiàn)工藝異常并作出改善。在生產制程的管控上，要求減少各種異常事件(excursion)，如設備故障、操作失誤等，快速的問題診斷(trouble shooting)，降低關鍵制程的變異(variation)等。

　　跟晶體管CD尺寸密切相關的制造工藝是光刻工藝，在摩爾定律時期，科學家一直在尋求全彩LED顯示屏波長更短的光源以達到更高的光刻分辨率。然而在EUV的技術成熟之前，光刻技術所使用的波長長時間停留在193 nm的節(jié)點，最新的193 nm浸潤式技術在制造80 nm pitch的圖形上已經比較困難。為了突破這種挑戰(zhàn)，科學家們發(fā)明了光學鄰近效應修正(OPC)及多重曝光技術。OPC使用較為廣泛的一種技術是基于規(guī)則的修正，指的是建立一套與圖形周邊情況有關的規(guī)則，使得全彩LED顯示屏在這些規(guī)則滿足的情況下，按照規(guī)則定義的要求對圖形進行修正，規(guī)則的制定依賴于對一組定標圖形的精確測定。如圖2所示，當100 nm的線條的某一邊界距離下一個圖形邊界的距離大于或等于500 nm時，此邊界往外移動10 nm。

以上問題也是將來后摩爾時代全彩LED顯示屏半導體行業(yè)的挑戰(zhàn)。在摩爾定律時代芯片的密度、運行速度、功耗、單個晶體管價格的變化趨勢，可以發(fā)現(xiàn)在摩爾定律時代后期，芯片速度和功耗上的改善速度在逐漸放緩，晶體管的價格基本沒有下降甚至會增加。從這點看，摩爾定律會在2015～2025年之間走向終結。